芯片产品
威固信息在MCP及SIP封装技术领域拥有充分的产品实践经验，通过多年的积累形成了多款SATA、NVMe接口的单芯片存储产品。单芯片存储产品将闪存控制器、NAND FLASH 以及其他元器件集成于⼀个芯片封装之内，具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。为用户提供高容量密度、高性能密度的记录产品解决⽅案，同时单芯片存储产品还可广泛应用于手持终端、物联网终端、嵌入式主板等小型化应⽤场景。
产品图
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VGCD3256M72T |
VGC41K512M16HA-125 |
VGC41K256M16 |
VGC11N |
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威固VGCD3256M72T是一款SIP封装芯片。内部集成了多片DDR3、终端电阻、去耦电容等，采用多片拓扑结构、等长等设计，支持64位或者72位(带8位ECC校验)位宽，可扩展最大容量512M64/72即单片容量32Gb。使用设计时，仅考虑与控制器互联信号线的等长设计，无需外部拓扑结构、终端匹配电阻，降低了存储电路设计的难度。 |
VGC41K512M16HA-125系列芯片是一款全国产化，完全自主可控DDR3,使用双倍速率数据架构实现高速运行的同步动态随机存储器，采用SiP技术两颗裸Die堆叠设计实现存储容量的翻倍。位宽16位，支持最大容量512M16即单片容量8Gb。使用设计时，仅考虑与控制器互联信号线的等长设计，无需外部拓扑结构、终端匹配电阻，降低了存储电路设计的难度。 |
VGC41K256M16使用双倍数据速率架构来实现高速运行。双倍数据速率架构是一种8n预取架构，其接口设计为每个时钟周期在1/0引脚传输两个数据字。DDR3 SDRAM的单个读或写操作实际上由内部DRAM内核的单个8n位宽、四个时钟周期的数据传输和1/0引脚的八个相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输组成。 使用设计时，仅考虑与控制器互联信号线的等长设计，无需外部拓扑结构、终端匹配电阻，降低了存储电路设计的难度。 |
VGC11N系列是LPDDR4,容量支持2Gb、4Gb、8Gb,位宽支持x16、x32;内嵌ECC自纠错功能。每个器件有1或2个通道，每个通道有8-banks和16-bits。该产品采用双倍数据速率架构来实现高速运行。该产品提供以时钟上升沿和下降沿为基准的完全同步操作。数据路径内部流水线化，预取16n位，以实现极高的带宽。 |
应用：
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