嵌入式存储器如何发展至今的

威固小编带大家了解一下嵌入式存储器的起源及发展历史。

早在上世纪六七十年代，那时的半导体行业主要由IDM占据，每个公司从芯片设计、制造到封装都自己做。各家都是独立开发自己的工艺、IP和相关芯片。

早期人们对于系统的要求包括集成度、速度、功耗都不高，因此分立式存储器在那时占据主流位置，成为各应用厂家的首选。

后来到了上世纪八九十年代，fabless和foundry模式开始出现，基于设计的复杂性以及产品设计周期两方面考虑，开始出现第三方的独立IP供应商，如ARM公司。

随着芯片集成度的不断提升，反过来给分立存储器带来了两大挑战：1)集成度和工艺开始允许片内集成更多的存储器;2)存储器的速度发展远远落后于MPU的速度，MPU速度以每年60%在成长，而存储器只有10%。

同时片内存储器具有灵活简单的接口、更低延迟和更宽总线，更为重要的是还能节省系统的空间大小，使得它日益受到集成电路设计师的青睐。在这一时期嵌入式存储器主要以SRAM和DRAM两种形式呈现。

到了九十年代中期，Intel做了一项重大创新，将片外高速缓冲器(Cache)集成到了片内。这直接导致当时一大批分立的片外高速缓冲存储器厂商倒闭，成为嵌入式存储器代替分立式存储器的标志性事件。

到了今天一颗手机处理器超过90%的面积由各种嵌入式SRAM如寄存器堆，一二级缓存甚至三级缓存组成，嵌入式SRAM也成为晶圆代工厂的工艺技术衡量指标。由于SRAM由六个晶体管组成，而DRAM只有一个晶体管加一个电容组成，具有面积优势，当时很多厂商其实都在思考将DRAM嵌入到系统的可能性。

九十年代，当时IBM，Toshiba等大公司都在尝试开发嵌入式DRAM。但开发并不顺利，开发的难点在于DRAM工艺与常规逻辑工艺差异很大，工艺的整合难度相当大。虽然到今天，随着工艺的进步，使得一些公司像TSMC也在重新审视eDRAM的可行性，并有部分成果，但是主流的设计还是没有将eDRAM纳入必备选项。

后来随着消费类电子大幅成长，不断扩大的存储需求刺激着嵌入式存储不断发展。从早期，设计人员将程序简单固化在ROM中，到后来的OTP，EEPROM乃至现在很火的高密度eFlash内存。嵌入式存储能够有效存储代码和数据，而且掉电后还不丢失，对很多应用都有重要意义。