工业闪存丨MLC和SLC差距有多大
2023年03月06日 | admin
威固小编发现过去,工业闪存技术的发展仍然遵循SRAM、DRAM、EEPROM(EPROM)等传统内存技术的发展轨迹,在每个存储单元中存储一个二进制数据。然而,这种NAND技术被称为SingleLevelCell或SLC。
在竞争中,为了追求更高的密度和更低的成本,出现了每个单元存储多个二进制数据的新型闪存单元。这种类型的工业闪存被称为MultilevelCell或MLC,每个单元存储两个比特。市场上还有三个比特的Triplelevel或TLC颗粒,但TLC的耐久性极低,P/E周期约为300。因此,即使在控制器和固件技术的帮助下,TLCNAND也不适合工业应用。
因此,威固小编将关注SLC与MLC工业闪存的关键区别,以及这两种类型的技术关键点。
每Bit的密度和成本。
MLC工业闪存每单元Cell存储2比特数据,这意味着对于相同数量的存储,MLC设备的存储物理尺寸小于SLC设备,较小的存储物理尺寸转换为较小的Die尺寸,因此每比特的成本较低。
然而,MLC设备的优点并不是SLC的两倍。原因是MLC需要更复杂的程序和读取电路,从而消耗更多的Die空间。
二、Device级别的性能。
为了在MLC工业闪存单元中存储两位数据,编程电路必须能够在设备的浮动门上放置四个精确的电荷,或者使用与SLC设备相当的电压阈值窗口。图1显示了SLC和MLC的VT分布。
为了准确分配Flash设备浮动门的电荷,需要一个更复杂、更耗时的编程算法。因此,MLC工业闪存的编程时间比SLC工业闪存慢4倍。
读取操作也有类似的性能处罚,因为读取感知电路需要很长时间才能准确区分这四种状态。因此,MLC工业闪存的读取时间是SLC工业闪存的三倍。
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