联系我们 4008-220-880 搜索 语言
首页 > FORSOLID®单芯片存储产品 > BGA NVME > OSSD-BGA NVMe nano [Beta]

OSSD-BGA NVMe nano [Beta]

产品特性:
• 高密度芯片形态NVMe 固态存储产品
• 遵循NVMe 1.3标准
• 内建ECC(Error Correction Code)机制
• 采用动态/静态wear-leveling技术增加使用寿命
• 支持动态电源管理
• 支持S.M.A.R.T.
• 支持Trim and NCQ(Native Command Queuing)指令
  • 概述
  • 规格
  • 尺寸图
  • 应用
  • 推荐资讯

概述

威固信息FORSOLID® 高密度BGA1113封装NVMe 系列单芯片存储产品。将闪存控制器、NAND FLASH 以及其他元器件集成于一个芯片封装之内,实现高速的高容量密度、高性能密度的记录产品解决方案。可广泛应用于手持终端、物联网终端、嵌入式主板等小型化应用场景。

规格:

物理规格 产品外形: BGA 1113
总线接口: PCIe 3.0 x 2
尺寸: 11.5mmX 13mmX1.35mm
重量: ≈0.5g
容量 TLC: 64GB,128GB, 256GB, 512GB
性能 最高顺序读: 1730MB/s
最高顺序写: 1180MB/s
最高随机读(4K)IOPS: 245k
最高随机写(4K)IOPS: 195k
电气特性 输入电压: 2.5V, 1.2V, 0.9V
功耗: 全速写:≤1.6W
空 闲:≤0.2W
工作/存储环境 工作温度: 商温:0℃~70℃
存储温度: -40℃~85℃
工作/存储湿度: 5%~95%(无冷凝)
震动: 15g(10~2000Hz)
冲击: 1500g/0.5ms
可靠性 MTBF: 2000000小时
TLC:3000次
认证 CE、FCC、RoHS
可选功能 安全擦除
数据一键擦除
加密功能
物理销毁 需外部电路支持
备注: 1. 读写速度与SSD容量和测试环境等因素相关;
2. 功耗与SSD容量和测试环境等因素相关;
3. 标称容量是NAND Flash的容量,实际可用容量会根据不同的应用场合配置成不同的大小,通常为标称容量的80%~90%。

尺寸图:



 


 





 





 


客服

邮箱

导航

联系